Kingston Memoria Ram DDR4 32GB 2666MHz Notebook KCP426SD8

SKU: KCP426SD8/32

Kingston Memoria Ram DDR4 32GB 2666MHz Notebook KCP426SD8 está diseñada, fabricada y es probada rigurosamente para cumplir con las especificaciones de cada una de las marcas de sistemas.

Kingston Memoria Ram DDR4 32GB 2666MHz Notebook KCP426SD8


La memoria Kingston está diseñada, fabricada y es probada rigurosamente para cumplir con las especificaciones de cada una de las marcas de sistemas. Su compatibilidad está asegurada y está respaldada por una garantía de por vida y la legendaria confiabilidad de Kingston.

Agregue memoria Kingston confiable y observe cómo su productividad se dispara. Las páginas se cargarán más rápido y el lanzamiento de nuevas aplicaciones será más fácil y rápido.

Si su sistema está retrasado, o un programa no responde o no se carga, es posible que tenga una falta de memoria. Es posible que vea signos sutiles, como un bajo rendimiento en las tareas cotidianas, o puede estar recibiendo mensajes de «falta de memoria».

Los fabricantes de computadoras portátiles y PC a menudo incluyen módulos de memoria estándar de baja capacidad para reducir los costos, lo que significa que incluso las computadoras nuevas pueden necesitar actualizaciones de memoria desde el principio. Dos opciones: quitar y reemplazar estos módulos existentes de menor capacidad, o llenar ranuras de memoria desocupadas.

En algunos casos, los módulos de memoria de la misma capacidad deben instalarse en pares para obtener el mejor rendimiento de su sistema. Busque su sistema por nombre y número de modelo con nuestro buscador de memoria, y le proporcionaremos información detallada sobre la mejor configuración de memoria para lograr el mejor rendimiento para su sistema.

 

Especificaciones

Características
Memoria interna32 GB
Tipo de memoria internaDDR4
Velocidad de memoria del reloj2666 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria260-pin SO-DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 32 GB
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
ECCNo
Latencia CAS19
Voltaje de memoria1.2 V